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聚焦第三代半導(dǎo)體,東莞發(fā)布產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃

來源:高新院 achie.org 日期:2022-09-06 點(diǎn)擊:

  近日,東莞市發(fā)改委正式發(fā)布《東莞市發(fā)展半導(dǎo)體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃(2022-2025年)》(以下簡(jiǎn)稱“計(jì)劃”)。
 
  到2025年,東莞市集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入超800億元,力爭(zhēng)達(dá)到1000億元,并建成華南地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用創(chuàng)新重要基地,并在封裝測(cè)試、芯片設(shè)計(jì)和第三代半導(dǎo)體等細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代等具體目標(biāo)。
 
  近年來,東莞在集成電路研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試和第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域集聚了一批企業(yè),形成了一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。
 
  目前全市擁有涉及半導(dǎo)體及集成電路研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的企業(yè)257家,大多集中在封裝測(cè)試和研發(fā)設(shè)計(jì)環(huán)節(jié),2021年實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入約256億元,其中上市企業(yè)4家。
 
  2025年,東莞的四大目標(biāo)
 
  《計(jì)劃》中,東莞是提出了到2025的四大目標(biāo)。
 
  1、到2025年,東莞市集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入超800億元,力爭(zhēng)達(dá)到1000億元,年均增速超過25%;
 
  2、東莞市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將具有全國(guó)競(jìng)爭(zhēng)力,建成華南地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用創(chuàng)新重要基地,基本形成碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)襯底和外延材料、芯片/器件、應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈;
 
  3、企業(yè)創(chuàng)新研發(fā)投入占銷售收入比重超過5%,自主研發(fā)和引進(jìn)消化吸收一批關(guān)鍵核心技術(shù),在封裝測(cè)試、芯片設(shè)計(jì)和第三代半導(dǎo)體等細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代;
 
  組建一批高水準(zhǔn)的企業(yè)研發(fā)中心,第三代半導(dǎo)體和集成電路技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)、產(chǎn)學(xué)研合作平臺(tái)等達(dá)到3個(gè)以上;
 
  加快集聚創(chuàng)新人才,引進(jìn)和培養(yǎng)第三代半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)軍人才30人以上、領(lǐng)軍團(tuán)隊(duì)10個(gè)以上;
 
  4、基本建成配套設(shè)施齊全、服務(wù)功能完善、規(guī)模效應(yīng)明顯、上下游緊密配合的集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。集成電路專業(yè)公共服務(wù)平臺(tái)數(shù)量達(dá)到3個(gè)以上。
 
  積極推動(dòng)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展
 
  《計(jì)劃》中提出,將第三代半導(dǎo)體突破工程作為重點(diǎn),積極推動(dòng)氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、圖形化藍(lán)寶石(PSS)等第三代半導(dǎo)體材料在襯底、外延、器件、制備設(shè)備等方面的研發(fā)、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化,加快第三代半導(dǎo)體芯片應(yīng)用推廣。
 
  重點(diǎn)發(fā)展應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、智慧電源等領(lǐng)域的中高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(大功率絕緣柵雙極型晶體管)等SiC電子電力器件;應(yīng)用于5G通信的GaN高功率射頻器件、GaN功率放大器、GaN微波集成電路芯片等GaN微波射頻器件;應(yīng)用于新型顯示Mini/Micro-LED、激光器等領(lǐng)域的GaN光電器件。
 
  推動(dòng)建設(shè)4-8英寸SiC和GaN襯底、外延及芯片/器件生產(chǎn)線,打通SiC/GaN材料-SiC/GaN芯片/器件-SiC/GaN應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈,加快實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。
 
  材料及關(guān)鍵電子元器件補(bǔ)鏈工程方面,大力引進(jìn)技術(shù)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體IDM企業(yè),支持建設(shè)射頻、傳感器、電力電子等器件生產(chǎn)線,形成配套材料和封裝能力。
 
  特種裝備及零部件配套工程方面,大力引進(jìn)國(guó)內(nèi)外沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、等離子清洗機(jī)、薄膜制備設(shè)備、第三代半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。
 
  對(duì)于重點(diǎn)發(fā)展的第三代半導(dǎo)體、集成電路制造和封裝測(cè)試等領(lǐng)域項(xiàng)目,積極爭(zhēng)取列入省重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃,獲得省先進(jìn)制造業(yè)政策支持。
 

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聚焦第三代半導(dǎo)體,東莞發(fā)布產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃

2022-09-06 來源:高新院 achie.org 點(diǎn)擊:

  近日,東莞市發(fā)改委正式發(fā)布《東莞市發(fā)展半導(dǎo)體及集成電路戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集群行動(dòng)計(jì)劃(2022-2025年)》(以下簡(jiǎn)稱“計(jì)劃”)。
 
  到2025年,東莞市集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入超800億元,力爭(zhēng)達(dá)到1000億元,并建成華南地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用創(chuàng)新重要基地,并在封裝測(cè)試、芯片設(shè)計(jì)和第三代半導(dǎo)體等細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代等具體目標(biāo)。
 
  近年來,東莞在集成電路研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試和第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域集聚了一批企業(yè),形成了一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。
 
  目前全市擁有涉及半導(dǎo)體及集成電路研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的企業(yè)257家,大多集中在封裝測(cè)試和研發(fā)設(shè)計(jì)環(huán)節(jié),2021年實(shí)現(xiàn)主營(yíng)業(yè)務(wù)收入約256億元,其中上市企業(yè)4家。
 
  2025年,東莞的四大目標(biāo)
 
  《計(jì)劃》中,東莞是提出了到2025的四大目標(biāo)。
 
  1、到2025年,東莞市集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入超800億元,力爭(zhēng)達(dá)到1000億元,年均增速超過25%;
 
  2、東莞市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將具有全國(guó)競(jìng)爭(zhēng)力,建成華南地區(qū)第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用創(chuàng)新重要基地,基本形成碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)襯底和外延材料、芯片/器件、應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈;
 
  3、企業(yè)創(chuàng)新研發(fā)投入占銷售收入比重超過5%,自主研發(fā)和引進(jìn)消化吸收一批關(guān)鍵核心技術(shù),在封裝測(cè)試、芯片設(shè)計(jì)和第三代半導(dǎo)體等細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代;
 
  組建一批高水準(zhǔn)的企業(yè)研發(fā)中心,第三代半導(dǎo)體和集成電路技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)、產(chǎn)學(xué)研合作平臺(tái)等達(dá)到3個(gè)以上;
 
  加快集聚創(chuàng)新人才,引進(jìn)和培養(yǎng)第三代半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)軍人才30人以上、領(lǐng)軍團(tuán)隊(duì)10個(gè)以上;
 
  4、基本建成配套設(shè)施齊全、服務(wù)功能完善、規(guī)模效應(yīng)明顯、上下游緊密配合的集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。集成電路專業(yè)公共服務(wù)平臺(tái)數(shù)量達(dá)到3個(gè)以上。
 
  積極推動(dòng)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展
 
  《計(jì)劃》中提出,將第三代半導(dǎo)體突破工程作為重點(diǎn),積極推動(dòng)氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、圖形化藍(lán)寶石(PSS)等第三代半導(dǎo)體材料在襯底、外延、器件、制備設(shè)備等方面的研發(fā)、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化,加快第三代半導(dǎo)體芯片應(yīng)用推廣。
 
  重點(diǎn)發(fā)展應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、智慧電源等領(lǐng)域的中高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(大功率絕緣柵雙極型晶體管)等SiC電子電力器件;應(yīng)用于5G通信的GaN高功率射頻器件、GaN功率放大器、GaN微波集成電路芯片等GaN微波射頻器件;應(yīng)用于新型顯示Mini/Micro-LED、激光器等領(lǐng)域的GaN光電器件。
 
  推動(dòng)建設(shè)4-8英寸SiC和GaN襯底、外延及芯片/器件生產(chǎn)線,打通SiC/GaN材料-SiC/GaN芯片/器件-SiC/GaN應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈,加快實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。
 
  材料及關(guān)鍵電子元器件補(bǔ)鏈工程方面,大力引進(jìn)技術(shù)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體IDM企業(yè),支持建設(shè)射頻、傳感器、電力電子等器件生產(chǎn)線,形成配套材料和封裝能力。
 
  特種裝備及零部件配套工程方面,大力引進(jìn)國(guó)內(nèi)外沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、等離子清洗機(jī)、薄膜制備設(shè)備、第三代半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。
 
  對(duì)于重點(diǎn)發(fā)展的第三代半導(dǎo)體、集成電路制造和封裝測(cè)試等領(lǐng)域項(xiàng)目,積極爭(zhēng)取列入省重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃,獲得省先進(jìn)制造業(yè)政策支持。
 
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